Метод TXRF (рентгефлуоресцентная спектроскопия с геометрией полного внешнего отражения) позволяет определять уровень привносимой дефектоности для всех технологических процессов, включая мокрую химическую очистку, фотолитографию, плазмохимическое травление, термическую обработку (отжиг), нанесение пленок и т.д.
Спектрометр TXRF 3650 способен анализировать элементы в диапазоне от Na до U с помощью одной мишени, трехлучевой рентгеновской системы и твердотельного детектора.
Спектрометр TXRF 3650 содержит запатентованную систему перемещения координатного стола по направлениям XYθ, роботизированный механизм транспортировки пластины в вакууме и новое клиентоориентированное программное обеспечение. Все это способствует повышению производительности, точности и прецизионности, а также упрощению процедуру проведения рутинных измерений.
Опциональное программное обеспечение «Sweeping TXRF» позволяет оперативно проводить измерения в режиме картирования и строить карты распределения загрязнения по всей поверхности анализируемой пластины для определения «очагов загрязнения», которые в дальнейшем могут быть автоматически повторно измерены с более высокой прецизионностью.
Функция «ZEE-TXRF» нулевого отступа от края пластины снимает исторически сложившееся ограничение, созданное первоначальным дизайном TXRF спектрометров - проводить измерение не ближе 15 мм от края пластины и позволяет снизить этот параметр до нулевого значения.
Особенности и преимущества модели:
- Легкость в работе и быстрота получения результатов измерения
- Работа с пластинами диаметром 200 мм и меньше
- Компактный дизайн, минимальная занимаемая площадь в помещении
- Рентгеновский источник высокой мощности (9 кВт) с вращающимся анодом
- Широкий диапазон определяемых элементов (Na~U)
- Высокая чувствительность к легким элементам (Na, Mg, и Al)
- Возможность использования для кремниевых подложек и для подложек из других материалов (GaAs, сапфир и т.д.)
- Импорт координат из системы определения светорассеивающих дефектов для последующего определения их химического состава.